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产品参数：

肖特基二*管简介：

　　肖特基二*管是以其发明人华特?肖特基博士（Walter Hermann Schottky，1886年7月23日—1976年3月4日）命名的，*D是肖特基势垒二*管 （Schottky Barrier Diode,缩写成*D）的简称。*D不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，*D也称为金属－半导体（接触）二*管或表面势垒二*管，它是一种热载流子二*管。 　　肖特基二*管是近年来问世的低功耗、大电流、*速半导体器件。其反向恢复时间*短（可以小到几纳秒），正向导通压降*0.4V左右，而整流电流却可*几千毫安。这些优良特性是快恢复二*管所*拟的。中、小功率肖特基整流二*管大多采用封装形式。

肖特基二*管的优势：

　　*D具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，*高*约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路*率开关器件的续流二*管、变压器次级用100V以上的高频整流二*管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的*二*管以及PFC升压用600V二*管等，只有使用*外延二*管（FRED）和**二*管（UFRD）。目前UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上，*能满足像空间站等领域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS，由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使SMPS体积和重量增加，不*合小型化和轻薄化的发展趋势。因此，发展100V以上的高压*D，一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年，*D已取得了*性的进展，150V和 200V的高压*D已经上市，使用新型材料制作的*过1kV的*D也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。